渦輪分子泵應用于分子束外延 MBE
分子束外延 Molecular Beam Epitaxy, 簡稱 MBE 是一種晶體生長技術(shù), 首先將待成長的芯片放置在超高真空腔體中 ~10-10Torr, 和將需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 當爐溫升至一定溫度時, 爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發(fā)出來, 此時基板也被加熱至一適當?shù)臏囟? 分子束射至基板時, 就會與基板表面的原子結(jié)合而生長出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu). 分子束外延 MBE 設(shè)備在生長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si SiGe, 金屬與金屬氧化物, 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

分子束外延 MBE 系統(tǒng)需要在超高真空環(huán)境中進行, 對真空度要求及其高, 真空度可到 2×10-10 torr, 同時需要分子泵低振動, 低噪音, 清潔無油確保超高真空的穩(wěn)定性已保證晶格的生長和后期的探測分析.

上海伯東分子束外延 MBE 客戶案例: 根據(jù)真空腔室大小和客戶要求的抽空時間, 上海伯東推薦某真空設(shè)備商 MBE 設(shè)備搭配 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 700, 真空可達到10-10 Torr. HiPace 700 尺寸 Φ208 x 224mm, 重量 17.4 kg, 方便集成于設(shè)備中!

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